陆磊

职称:助理教授
电话:0755-26033149
办公室:A316
Email:lulei@cfgworld.com
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MGM美高梅研究方向:1、薄膜晶体管;2、先进显示;3、柔性电子及传感器。
职称 助理教授 电话 0755-26033149
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MGM美高梅研究方向 1、薄膜晶体管;2、先进显示;3、柔性电子及传感器。 美高梅登录网站

导师与MGM美高梅研究领域、方向:

北京大学深圳MGM美高梅研究生院,助理教授、博士生导师。深圳市海外高层次人才(c类)。国际电气与电子工程师学会IEEE会员,国际信息显示学会SID会员。苏州大学微电子系学士及硕士(导师:王明湘教授),香港科技大学电子及计算机工程系博士(导师:王文 教授)。2015年至2017年,任香港科大电子计算机工程系MGM美高梅研究员、赛马会-香港科大高等MGM美高梅研究院Postdoctoral Fellow(合作教授:郭海成 院士)。2017年至2019年,任香港科大MGM美高梅研究助理教授,同时荣聘为高等MGM美高梅研究院Junior Fellow(合作教授:邓青云 院士)。20196月起加入北京大学深圳MGM美高梅研究生院信息美高梅登录。MGM美高梅研究领域包括:半导体器件,如金属氧化物薄膜晶体管、肖特基二极管;先进显示技术,如超高像素密度的OLED蒸镀罩;柔性电子及传感器系统,如基于金属氧化物半导体的柔性传感器系统。在微电子顶级国际期刊和会议上发表论文100余篇,其中SCI期刊53篇。同时还积极谋求产学结合,已经以第一发明人申请中、美、国际专利31项,其中已授权15项。

讲授的课程:

超大规模集成电路工艺、柔性电子的技术与应用

近年来取得的主要成果:

代表性期刊:

1. H. Yang, X. Zhou, L. Lu, and S. Zhang, “Investigation to the Carrier Transport Properties in Heterojunction-Channel Amorphous Oxides Thin-Film Transistors Using Dual-Gate Bias,” IEEE Electron Device Lett., pp. 1–1, 2022, doi: 10.1109/LED.2022.3223080.

2. P. Wang et al., “Synergistically Enhanced Performance and Reliability of Abrupt Metal‐Oxide Heterojunction Transistor,” Adv. Electron. Mater., p. 2200807, Oct. 2022, doi: 10.1002/aelm.202200807.

3. Zhou, Jitong, Wengao Pan, Dawei Zheng, Fayang Liu, Guijun Li, Xianda Zhou, Kai Wang, Shengdong Zhang, and Lei Lu*. 2022. “Self-Stabilized Hydrogenation of Amorphous InGaZnO Schottky Diode with Bilayer Passivation.” Advanced Electronic Materials 2200280:1–9. doi: 10.1002/aelm.202200280.

4. Jiye Li, Yuqing Zhang, Jialiang Wang, Huan Yang, Xiaoliang Zhou, Mansun Chan, Xinwei Wang, Lei Lu*, and Shengdong Zhang. 2022. “High-Performance Self-Aligned Top-Gate Amorphous InGaZnO TFTs With 4 Nm-Thick Atomic-Layer-Deposited AlOx Insulator.” IEEE Electron Device Lett.,43(5):729–32. doi: 10.1109/LED.2022.3160514.

5. J. Zhou, Y. Wang, X. Zhou, G. Li, Z. Xia, F. S. Y. Yeung, M. Wong, H. S. Kwok, S. Zhang, L. Lu*, “Reliable High-Performance Amorphous InGaZnO Schottky Barrier Diodes With Silicon Dioxide Passivation Layer,” IEEE Electron Device Lett., vol. 42, no. 9, pp. 3381–1341, 2021. DOI: 10.1109/LED.2021.3095921

6. Fayang Liu, Yuheng Zhou, Huan Yang, Xiaoliang Zhou, Xiaohui Zhang, Guijun Li, Meng Zhang, Shengdong Zhang, and Lei Lu*. 2021. “Roles of Hot Carriers in Dynamic Self-Heating Degradation of a-InGaZnO Thin-Film Transistors.” IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett., vol. 43, no. 1, pp. 40–43, 2022. DOI: 10.1109/LED.2021.3133011

7. X. Zhou#, L. Lu#, Jin Wei, Yang Liu, K. Wang*, M. Wong, J. K. O. Sin, and H.-S. Kwok,, “Extracting the Critical Breakdown Electrical Field of Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide from the Avalanche Breakdown of n-Indium-Gallium-Zinc-Oxide/p+-Nickel-Oxide Heterojunction Diode,” IEEE Electron Device Lett., vol. 41, no. 7, pp. 1017–1020, 2020. DOI: 10.1109/LED.2020.2996242

8. H. Peng, B. Chang, H. Fu, H. Yang, Y. Zhang, X. Zhou, L. Lu*, S. Zhang*, “Top-Gate Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors With Magnesium Metallized Source/Drain Regions,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 64, no. 7, pp. 1619–1624, 2020. DOI: 10.1109/TED.2020.2975211

9. L. Lu#*, Z. Feng#, S. Wang, J. Li, Z. Xia, H. Kwok, and M. Wong, “Fluorination-Enabled Monolithic Integration of Enhancement- and Depletion-Mode Indium-Gallium-Zinc Oxide TFT,” IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 5, pp. 692–695, 2018. DOI: 10.1109/LED.2018.2818949

10. L. Lu*, Z. Xia, J. Li, Z. Feng, S. Wang, H. Kwok, and M. Wong, “A Comparative Study on Fluorination and Oxidation of Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistors,” IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 2, pp. 196–199, 2018. DOI:10.1109/LED.2017.2781700

代表性专利:

[1] 郑大伟陆磊,张盛东,王云萍,严建花,蔡泽宇,“一种肖特基二极管及其制造方法”中国发明专利申请CN202210872263.62022720日。

[2] 郑大伟陆磊,张盛东,王云萍,严建花,蔡泽宇,“一种肖特基二极管及其制造方法”中国发明专利申请CN202210857220.02022720日。

[3] 陆磊,孙博文,李吉业,王云萍,“透气导电材料、制造方法、半导体器件以及双栅TFT器件”中国发明专利申请202210618717.7202261日。

[4] 王鹏飞,陆磊,王云萍,杨欢,周晓梁,张盛东,“一种异质结结构、半导体器件结构及其制造方法”中国发明专利申请202210411896.72022419日。

[5] 刘发扬,陆磊,张盛东,王云萍,周晓梁,“双栅结构的半导体场效应晶体管及其制造方法”中国发明专利申请202111286452.72021112日。

[6] 陆磊,张盛东,焦海龙,张敏,周航,周雨恒,王云萍,“一种应用于柔性薄膜晶体管阵列的结构”中国发明专利ZL 2020 1 1592468.6授权20230203日。

[7] 陆磊,周玮,王文,郭海成Integration of Silicon Thin-Film Transistors and Metal-Oxide Thin-Film Transistors美国专利10,504,939 B2授权2017220日。

[8] 陆磊王文,郭海成 全面屏结构以及用于屏下摄像头的OLED显示面板中国实用新型专利ZL 2021 2 2197756.8授权2021913日。

[9] 李佳鹏,陆磊王文,郭海成 一种薄膜晶体管和显示器面板中国实用新型专利ZL 2017 2 1522557.7授权20171115日。

[10] 陆磊王文,郭海成一种显示器面板中国实用新型专利ZL 2016 2 1188654.2授权20161028日。


近年主持的项目:

[1] 202211月至202510月:柔性双栅氧化物TFT器件与电路MGM美高梅研究,项目来源:国家科学技术部-国家重点研发计划-青年科学家项目,主持

[2] 202112月至202511月:高性能氧化物TFT 材料与关键技术研发及产业化——“高性能氧化物TFT 技术研发”子课题,项目来源:国家科学技术部-“十四五”国家重点研发计划-重大共性关键技,参与

[3] 20201月至202212月:金属氧化物薄膜晶体管的迁移率和可靠性的耦合模型和联合优化的MGM美高梅研究,项目来源:国家自然科学基金-青年科学基金项目,主持

[4] 201910月至20219:金属氧化物薄膜晶体管在光电应力下的退化模型MGM美高梅研究,项目来源:广东省自然科学基金-面上项目,主持

[5] 20211月至202312月:低温多晶硅/氧化物半导体的三维混合集成的关键技术MGM美高梅研究,项目来源:深圳市科技创新委员会-高等院校稳定资助基础MGM美高梅研究专项(自然科学基金),主持

[6] 20209月至20229:面向大面积色转换RGB-OLED显示的柔性氧化物背板技术MGM美高梅研究项目来源:深圳市科技创新委员会-深港联合资助项目,主持

[7] 20205月至20235:面向下一代大尺寸显示应用的金属氧化物薄膜晶体管的MGM美高梅研究,项目来源:深圳市科技创新委员会-基础MGM美高梅研究面上项目,主持

[8] 202211月至202410月:基于氧化物薄膜晶体管的屏内指纹探测技术MGM美高梅研究,项目来源:2022深港联合资助项目(A类)- 协同创新专项,参与

[9] 202211月至202510月:重2022N079 面向碳化硅电力电子器件的激光合金退火改质设备研发,项目来源:2022深圳市科技计划项目-技术攻关重点项目,参与

[10] 202011月至202311:金属氧化物薄膜晶体管的柔性电路设计关键技术MGM美高梅研究项目来源:深圳市科技创新委员会-基础MGM美高梅研究(重点项目),参与


对计划招收MGM美高梅研究生的基本要求:

1、专业范围: 微电子学,物理,电子信息科学与技术;
       2
、外语能力:英文六级或托福80、雅思6.0以上;
       3
、具有独立思考和勤奋坚韧的品格,对探索知识的边界、解决工程的挑战感兴趣。